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首次10nm以下!三星研发全新4F2内存芯片:面积缩减30% 每日讯息

来源:快科技


(相关资料图)

快科技5月26日消息,DRAM内存进入20nm节点以内已经有四五年时间了,三星、SK海力士及美光三大巨头开发了多代1x nm工艺的内存,作为一哥的三星从14nm节点开始引入EUV工艺,前不久还正式量产了12nm工艺的内存。

新内存单颗容量16Gb(2GB),最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz),相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影,对比上代功耗降低了多达23%,同时晶圆生产率提高了20%。

12nm之后呢?去年有消息称三星还在开发11nm工艺的内存,但即便11nm内存搞定了,内存行业迟早还要面对10nm以下的内存如何制造的难题,这就需要全面改进内存芯片架构了。

日前韩国媒体爆料称,三星已经组建了一个团队,负责研发4F2结构(下图中WL与BL的乘积,数字越小意味着面积越小)的新一代DRAM内存芯片,与现在的6F2结构相比,即便工艺不变,面积也能减少30%,进一步提高存储密度。

按照三星的想法,4F2架构的内存芯片有望成为10nm以下工艺节点的关键,工艺提升+架构改进双管齐下进一步推进内存芯片容量、性能等提升。

不过4F2结构的内存芯片早在10多年前就有研发了,刚进入DDR3时代就有厂商计划使用,只是一直没有取得实际的进展,制造难度也是非常大的。

除了4F2结构的内存之外,其他厂商还在计划别的技术路线,SK海力士的目标就是3D DRAM内存,但是这些新技术都有制造成本高的问题,需要时间来解决。

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