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高通、AMD计划引入3nm工艺：台积电“开足马力”加快量产速度

来源：快科技

近日，有媒体报道，台积电将“开足马力”，冲刺3nm制程芯片的量产速度，并已经进入了试产阶段，这或许是因为高通，AMD等重量级客户都计划引入3nm工艺。

据悉，高通与AMD等厂商都在考虑引入3nm制程工艺，并已经开始寻找能够量产3nm芯片的生产厂商，因此，同样在攻克3nm技术的三星就成为了台积电必须追赶的目标。

此前，有消息称三星计划于2022年上半年实现3nm芯片的量产，如果该消息属实，那么三星将抢先台积电实现3nm芯片的量产，从而抢占大量客户。

台积电原本规划在今年年内试产3nm芯片，并在明年下半年正式投入量产，但在三星的紧追下，这一时间很可能会被提前至明年上半年。

需要注意的是，虽然同为3nm，但与台积电沿用了当前的FinFET架构不同，三星将采用全新的GAA架构，架构的不同或许也会导致二者3nm芯片投入量产的时间出现差异。

关键词： 台积电 3nm 高通、AMD计划引入3nm工艺：台积电“开足马力